太赫兹技术取得重大突破千亿级市场开启
- 发表时间:2017-09-27
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由我国科学家自主研发的国内首台高平均功率太赫兹自由电子激光装置,日前在四川成都首次饱和出光。经第三方检测,实验真实可靠且装置运行稳定。
我国太赫兹源从此正式进入自由电子激光时代。
8月29日,由中国工程物理研究院应用电子学研究所牵头的高平均功率太赫兹自由电子激光装置(CTFEL)首次饱和出光,并实现稳定运行。
9月20日,经过专家组现场测试和中国兵器工业第205研究所第三方检测,CTFEL装置太赫兹频率在1.99THz、2.41THz和2.92THz三个频率点稳定运行,平均功率均大于10W,最高达到17.9W;微脉冲峰值功率均大于0.5MW,最高达到0.84MW。通过调节电子束能量和磁场强度,可以实现输出激光频率连续可调。
太赫兹(THz)辐射通常指频率在0.1THz—10THz区间的电磁辐射,波段位于微波和红外光之间,是人类尚未完全认识并很好加以利用的最后一个波(光)谱区间。
物质的太赫兹光谱(包括发射、反射和透射)包含有丰富的物理和化学信息,研究有关物质在这一波段的光谱响应,探索其结构性质及其所揭示的新的物理内容已成为一个新的研究方向。
自由电子激光(FEL)由于具有频率连续可调、功率大、线宽窄、方向性好、偏振强等优点,使得在同一台装置上实现太赫兹波段全覆盖的大功率理想太赫兹源成为了可能,故自由电子激光是目前该波段最有前途的高功率可调谐相干光源。
CTFEL装置是依托科技部支持的国家重大科学仪器设备开发专项“相干强太赫兹源科学仪器设备开发”项目,于2011年立项启动。作为一种新型相干强太赫兹光源,CTFEL装置在材料、生物医学等领域有着重要应用前景。
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